报告题目：忆阻器的神经形态动力学
报 告 人：王光义,杭州电子科技大学二级教授
报告时间：2024年6月19日（星期三）上午10：00
报告地点：7JC214
报告摘要：
随着大数据和智能计算对算力需求的指数增长，以晶体管芯片密度驱动的算力增长逐渐放缓，晶体管尺度微缩接近物理极限，存算分离的冯诺依曼计算架构也逐渐形成速度与功耗瓶颈而导致系统性能饱和。一种有希望的解决方案是利用纳米忆阻器模拟神经元和突触行为直接处理和存储信息，从而实现高效能、高算力和存算一体的类脑计算新架构。该报告依据局部有源和混沌边缘理论研究局部有源忆阻器神经元的设计与神经形态动力学分析，包括局部有源忆阻器的不稳定性问题，忆阻神经元的一般理论模型及其设计方法，神经形态动作电位形成的动力学机理，忆阻神经形态动力学分析，忆阻神经网络中的神经形态动力学。
报告人简介：
王光义，工学博士学位，杭州电子科技大学二级教授，电子科学与技术专业博士生导师，中国电子学会电路与系统分会混沌与非线性电路专业委员会副主任委员，全国模范教师。曾任现代电路与智能信息研究所所长，国家教学团队带头人，国家电工电子实验教学示范中心主任，国家电子信息技术虚拟仿真实验教学中心主任。研究方向为忆阻器理论及应用、混沌理论及应用，包括忆阻器建模、忆阻器神经形态计算、忆阻混沌、忆阻数字逻辑电路、混沌电路、混沌密码系统和混沌保密通信等。主持和以第二成员参与国家自然科学基金项目12项（主持5项），出版专著1部、教材4部，发表SCI论文100多篇（top论文15篇，高被引论文4篇，亮点和特色论文3篇），授权国家发明专利20余项，转让混沌密码与忆阻器技术成果6项。
获“2023 IEEE电路与系统学会Guillemin-Cauer最佳论文奖（此为1968年以来国内学者第四次获得该奖）、国际期刊Circuits, Systems, and signal Processing “2021 Armen H. Zemanian最佳论文奖；2018、2008和2023年分别以第一、第二和主要完成人获国家教学成果二等奖3项，获浙江省教学成果特等奖（2022年）、一等奖（2009年，2016年）和二等奖（2022年）；还获得曾宪梓优秀教师奖、浙江省高校优秀教师和山东省优秀教师奖。
